FP50R06KE3
技术参数:
• Ic(A),Tc=80℃ 50
• Vce(sat),Max(V) 1.9
• Ton(us) 0.1
• Toff(us) 0.7
• Rth(j-c),K/W 0.8
• Pc(W) 190
• 封装 EconoPIM2
• 电路结构 PIM
性能概要:
• 低电感模块设计
• 高可靠性和功率密度
• 优化热扩散的铜基片
• 焊脚
• 低开关损耗
• 高开关频率
• 符合RoHS标准
FP50R06KE3
技术参数:
• Ic(A),Tc=80℃ 50
• Vce(sat),Max(V) 1.9
• Ton(us) 0.1
• Toff(us) 0.7
• Rth(j-c),K/W 0.8
• Pc(W) 190
• 封装 EconoPIM2
• 电路结构 PIM
性能概要:
• 低电感模块设计
• 高可靠性和功率密度
• 优化热扩散的铜基片
• 焊脚
• 低开关损耗
• 高开关频率
• 符合RoHS标准
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