FF50R12RT4
技术参数:
• Ic(A),Tc=80℃ 50
• Vce(sat),Max(V) 2.15
• Ton(us) 0.15
• Toff(us) 0.4
• Rth(j-c),K/W 0.53
• Pc(W) 285
• 封装 34mm
• 电路结构 半桥
性能概要:
• 扩展工作温度TVJ op
• 低开关损耗
• 低V(CESAT)
• T(VJ OP)=150℃
• V(CESAT)具有正温度系数
• 隔离底板
• 标准外形
FF50R12RT4
技术参数:
• Ic(A),Tc=80℃ 50
• Vce(sat),Max(V) 2.15
• Ton(us) 0.15
• Toff(us) 0.4
• Rth(j-c),K/W 0.53
• Pc(W) 285
• 封装 34mm
• 电路结构 半桥
性能概要:
• 扩展工作温度TVJ op
• 低开关损耗
• 低V(CESAT)
• T(VJ OP)=150℃
• V(CESAT)具有正温度系数
• 隔离底板
• 标准外形
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