代理PW2308芯片 N沟道增强型MOSFET

  • 发布时间:2021-01-21 17:50:29,加入时间:2020年07月16日(距今1817天)
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一般说明

PW2308采用先进的沟道技术,提供优秀的RDS(ON)、低栅极充电和低至4.5V的栅极电压运行。该器件适合用作电池保护或其他开关应用。

特征

l  VDS=60V,ID=5A

l  RDS(开)<38mΩ@VGS=10V

l  提供3针SOT23-3封装

应用   

l  电池保护

l  负荷开关

          自动照明

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