F3L80R12W1H3_B11

F3L80R12W1H3_B11

技术参数：

• Ic(A),Tc=80℃        80

• Vce(sat),Max(V)        -

• Ton(us)               -

• Toff(us)               -

• Rth(j-c),K/W        -

• Pc(W)               -

• 封装                  EasyPACK 1B

• 电路结构               三电平

性能概要：

• 高速IGBT H3

• 低电感设计

• 低开关损耗

• ThinQ！™600V SiC肖特基二极管

• 紧凑的设计

• 压接接触技术

• 坚固的安装