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4寸N型硅掺杂Si-doped蓝宝石氮化镓晶片厂商

苏州恒迈瑞材料科技生产供应氮化镓复合衬底片，衬底结构为GaN on Sapphire，尺寸目前有2英寸，4英寸。导电类型分为n型非掺杂、n型硅掺杂，及Mg镁掺杂，抛光要求可为单抛或双抛。

氮化镓外延厚度：4.5um±0.5um/ 20um±2um

晶向：C-plane(0001)±0.5°

位错密度：≤5x108cm-2

抛光要求：单抛/双抛

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