ST意法半导体 场效应管 STF7NM60N

  • 发布时间:2021-08-12 16:06:41,加入时间:2021年07月20日(距今1038天)
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品牌

ST

 

批号

18+

 

封装

TO-220-3

 

数量

1800

 

制造商

STMicroelectronics

 

产品种类

MOSFET管

 

RoHS

 

技术

Si

 

安装风格

Through Hole

 

封装 / 箱体

TO-220-3

 

晶体管极性

N-Channel

 

通道数量

1 Channel

 

Vds-漏源极击穿电压

600 V

 

Id-连续漏极电流

5 A

 

Rds On-漏源导通电阻

900 mOhms

 

Vgs - 栅极-源极电压

25 V

 

Vgs th-栅源极阈值电压

3 V

 

Qg-栅极电荷

12 nC

 

工作温度

+ 150 C

 

Pd-功率耗散

20 W

 

商标名

MDmesh

 

封装

Tube

 

配置

Single

 

系列

STF7NM60N

 

晶体管类型

1 N-Channel

 

商标

STMicroelectronics

 

产品类型

MOSFET

 

工厂包装数量

1000

 

子类别

MOSFETs

 

单位重量

330 mg

 

可售卖地

全国

 

类型

Power MOSFET

 

型号

STF7NM60N

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