电池升压5V9V12V24V36V42V80V，电流2A3A5A10A外置MOS大功率方案：FP5207XR-G1原理图
FP5207 是非同步升压控制 IC，透过 EXT Pin 控制外部 NMOS，输入低启动电压 2.8V 与宽工作电压5V~24V，单节锂电池 3V~4.2V应用，将 Vout 接到HVDD Pin；精准的反馈电压1.2V，内置软启动，工作频率由外部电阻调整；过电流保护，检测电感峰值电流，检测电阻 Rcs 接在开关NMOS Source 端与地之间。
特色
➢ 启动电压 2.8V
➢ 工作电压范围 5V~24V
➢ 反馈电压 1.2V (±2%)
➢ 关机耗电流小于 3μA
➢ 可调工作频率 100kHz~1000kHz
➢ 内置软启动
➢ 输入低电压保护(UVP)
➢ 可调过电流保护(OCP)
➢ 过温保护(OTP)
➢ 封装 SOP-8L(EP)
应用范围
➢ 蓝牙音响
➢ 充电器
➢ 移动电源
➢ 携带式产品
功能说明
a. 软启动
IC 启动时，利用软启动限制 PWM 占空比，让占空比慢慢打开，避免瞬间输入涌浪电流过大。
b. EN 开关控制
如下分压电阻 R3、R4 连接 Vin 与 EN，可以调整 FP5207 开启与关闭电压，当 EN 超过 1.5V 开启，EN 低于 1.3V 关闭，迟滞电压 0.2V 可以避免 IC 反覆开关；EN 低于 1.3V 时 EXT PWM 讯号、VDS 电压都会被关闭，HVDD 耗电流小于 3μA；不设定开启与关闭电压，R3 接 200kΩ、 R4 不接，EN 内部拑位电路限制 VEN<5.5V，此外 EN Pin 不能空接(悬空)。HVDD 电压低于 5V， 不能使用 R3、R4 控制 EN 开关，例如单节锂电池 3V~4.2V，输出端接到 HVDD，当 Vin 降低 EN 关闭，输出不升压，HVDD 趋近 Vin，就会低于 5V。
c. 工作频率
RT Pin 与地之间接电阻调整工作频率，频率范围 100kHz ~ 1000kHz，对应电阻 220kΩ ~ 17kΩ；当 RT Pin 不接电阻(悬空)，FP5207 内部预设频率 150kHz。
d. 过电流保护
过电流检测电阻 RCS 连接 Q2 Source 端与地之间，Q2 打开电感电流通过 RCS 产生 VCS，CS
检测 VCS 峰值电压，以下公式计算 RCS，0.085V 是 CS 检测电压下限值，ILP 是电感峰值电流，
常数 1.3 是提供 30%的误差范围，避免 RCS,电感,频率误差，而误触发过电流保护。当触发过
电流保护，EXT 占空比会缩小，限制电感电流，避免 Q2 损伤。
e. 过温保护
当 IC 内部芯片温度达到 150℃时，会将 IC 关闭，等温度降低到 120℃再恢复升压。
➢ FB Pin 远离开关切换点 L1、Q2 的 Drain 与 D1，避免受到干扰。
➢ 输入电容 C1/C2 的地、输出电容 C7/C8 与 Rcs 的地，铺铜走线，上下层地多打洞连接。
➢ 输出电容 C7/C8 的地一定要靠近 Rcs 的地，可以降低开关切换突波，降低输出高频噪声。
➢ Rcs 靠近 CS 与 GND pin。
➢ 板子多余空间建议铺地。
f. EMI 对策
R8 磁珠规格如下，R9 与 C9 两者靠近，且要靠近 Q2 的 Drain 与 Source；R10 与 C10 两者靠
近，且要靠近 D1；输出 L2 磁珠规格如下；输出电容 C8 的地靠近 Rcs 地。测试条件 Vin=9V、
Vout=19V、Iout=3A，如下测试结果垂直低标 7.33dB、水平低标 15.33dB。
磁珠 FI321611U601
