Features Enhancement mode Very low on-resistance 100% Avalanche Tested
V(BR)DSS Drain-Source Breakdown Voltage VGS=0V, ID=250μA 80 -- -- V IDSS Zero Gate Voltage Drain Current VDS=80V,VGS=0V -- -- 1 μA Zero Gate Voltage Drain Current(Tj=125℃) VDS=80V,VGS=0V -- -- 100 μA IGSS Gate-Body Leakage Current VGS=±25V,VDS=0V -- -- ±100 nA VGS(th) Gate Threshold Voltage VDS=VGS,ID=250μA 2.6 3.1 3.6 V RDS(on) Drain-Source On-State Resistance ④ VGS=10V, ID=80A -- 2.8 3.6 mΩ Tj=100℃ -- 3.9 -- mΩ Dynamic Electrical Characteristics @ T j= 25°C (unless otherwise stated) Ciss Input Capacitance VDS=30V,VGS=0V, f=1MHz 11525 15365 20435 pF Coss Output Capacitance 610 810 1080 pF Crss Reverse Transfer Capacitance 475 635 845 pF Rg Gate Resistance f=1MHz 0.2 2.2 5 Ω Qg Total Gate Charge VDS=40V,ID=80A, VGS=10V -- 235 313 nC Qgs Gate-Source Charge -- 67 89 nC Qgd Gate-Drain Charge -- 63 95 nC Switching Characteristics Td(on) Turn-on Delay Time VDD=40V, ID=80A, RG=3Ω, VGS=10V -- 40 -- ns Tr Turn-on Rise Time -- 130 -- ns Td(off) Turn-Off Delay Time -- 119 -- ns Tf Turn-Off Fall Time -- 112 -- ns
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