Enhancement mode Very low on-resistance RDS(on) Fast Switching and High efficiency 100% Avalanche test
V(BR)DSS Drain-Source Breakdown Voltage VGS=0V, ID=250μA 80 -- -- V IDSS Zero Gate Voltage Drain Current VDS=80V,VGS=0V -- -- 1 μA Zero Gate Voltage Drain Current(Tj =125℃) VDS=80V,VGS=0V -- -- 100 μA IGSS Gate-Body Leakage Current VGS=±25V,VDS=0V -- -- ±100 nA VGS(th) Gate Threshold Voltage VDS=VGS,ID=250μA 2.6 3.1 3.6 V RDS(on) Drain-Source On-State Resistance ④ VGS=10V, ID=80A -- 4.5 6 mΩ Tj =100℃ -- 6.3 -- mΩ Dynamic Electrical Characteristics @ Tj = 25°C (unless otherwise stated) Ciss Input Capacitance VDS=30V,VGS=0V, f=1MHz 6490 8655 11510 pF Coss Output Capacitance 360 480 640 pF Crss Reverse Transfer Capacitance 265 350 465 pF Rg Gate Resistance f=1MHz 0.2 2.7 5 Ω Qg Total Gate Charge VDS=40V,ID=40A, VGS=10V -- 144 192 nC Qgs Gate-Source Charge -- 40 53 nC Qgd Gate-Drain Charge -- 41 62 nC Switching Characteristics Td(on) Turn-on Delay Time VDD=40V, ID=40A, RG=3Ω, VGS=10V -- 22 -- ns Tr Turn-on Rise Time -- 85 -- ns Td(off) Turn-Off Delay Time -- 101 -- ns Tf Turn-Off Fall Time -- 59 -- ns
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