Features Enhancement mode VitoMOS ® Ⅱ Technology Fast Switching and High efficiency 100% Avalanche test
V(BR)DSS Drain-Source Breakdown Voltage VGS=0V, ID=250μA 40 45 -- V IDSS Zero Gate Voltage Drain Current(Tj=25℃) VDS=40V,VGS=0V -- -- 1 μA Zero Gate Voltage Drain Current(Tj=125℃) VDS=40V,VGS=0V -- -- 100 μA IGSS Gate-Body Leakage Current VGS=±20V,VDS=0V -- -- ±100 nA VGS(th) Gate Threshold Voltage VDS=VGS,ID=250μA 1.1 1.65 2.3 V RDS(on) Drain-Source On-State Resistance ④ VGS=10V, ID=20A -- 6.4 8.3 mΩ (Tj=100℃) -- 7.8 -- mΩ RDS(on) Drain-Source On-State Resistance ④ VGS=4.5V, ID=10A -- 10 13 mΩ Dynamic Electrical Characteristics @ Tj = 25°C (unless otherwise stated) Ciss Input Capacitance VDS=20V,VGS=0V, f=1MHz 550 735 980 pF Coss Output Capacitance 215 285 380 pF Crss Reverse Transfer Capacitance 15 25 60 pF Rg Gate Resistance f=1MHz 0.2 1.7 5 Ω Qg(10V) Total Gate Charge VDS=20V,ID=20A, VGS=10V -- 15 20 nC Qg(4.5V) Total Gate Charge -- 7.6 10 nC Qgs Gate-Source Charge -- 3 4 nC Qgd Gate-Drain Charge -- 3.3 5 nC Switching Characteristics Td(on) Turn-on Delay Time VDD=20V, ID=20A, RG=3Ω, VGS=10V -- 5.6 -- ns Tr Turn-on Rise Time -- 47 -- ns Td(off) Turn-Off Delay Time -- 15 -- ns Tf Turn-Off Fall Time -- 6.4 -- ns Source- Drain Diode Characteristics@ Tj = 25°C (unless otherwise stated) VSD Forward on voltage ISD=20A,VGS=0V -- 0.9 1.2 V Trr Reverse Recovery Time Isd=20A, VGS=0V di/dt=100A/μs -- 6.1 12 ns Qrr Reverse Recovery Charge -- 0.6 1.2 nC
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