Features Enhancement mode Very Low on-resistance RDS(on) Fast Switching and High efficiency 100% Avalanche test
Ciss Input Capacitance VDS=30V,VGS=0V, f=1MHz 23480 31305 41635 pF Coss Output Capacitance 1000 1335 1775 pF Crss Reverse Transfer Capacitance 325 430 570 pF Rg Gate Resistance f=1MHz 0.2 0.7 5 Ω Qg Total Gate Charge VDS=50V,ID=80A, VGS=10V -- 452 600 nC Qgs Gate-Source Charge -- 131 174 nC Qgd Gate-Drain Charge -- 119 179 nC Switching Characteristics Td(on) Turn-on Delay Time VDD=50V, ID=80A, RG=3Ω, VGS=10V -- 77 -- ns Tr Turn-on Rise Time -- 142 -- ns Td(off) Turn-Off Delay Time -- 190 -- ns Tf Turn-Off Fall Time -- 137 -- ns Source- Drain Diode Characteristics@ Tj = 25°C (unless otherwise stated) VSD Forward on voltage ISD=120A,VGS=0V -- 0.9 1.2 V Trr Reverse Recovery Time Tj=25℃,Isd=80A, VGS=0V di/dt=100A/μs -- 63 -- ns Qrr Reverse Recovery Charge -- 144 -- nC
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