Features P-Channel，-5V Logic Level Control Low on-resistance RDS(on) @ VGS=-4.5 V Fast Switching Enhancement mode Pb-free lead plating; RoHS compliant
V(BR)DSS Drain-Source Breakdown Voltage VGS=0V, ID=-250μA -30 -- -- V DSS I Zero Gate Voltage Drain Current VDS=-30V,VGS=0V -- -- -1 μA Zero Gate Voltage Drain Current(Tj=125℃) VDS=-30V,VGS=0V -- -- -100 μA GSS I Gate-Body Leakage Current VGS=±25V,VDS=0V -- -- ±100 nA VGS(TH) Gate Threshold Voltage VDS=VGS,ID=-250μA -1.2 -- -2.5 V RDS(ON) Drain-Source On-State Resistance ④ VGS=-10V, ID=-20A -- 6 8 mΩ RDS(ON) Drain-Source On-State Resistance ④ VGS=-4.5V, ID=-16A -- 10 13 mΩ Dynamic Electrical Characteristics @ Tj = 25°C (unless otherwise stated) Ciss Input Capacitance VDS=-15V,VGS=0V, f=1MHz -- 4725 -- pF Coss Output Capacitance -- 550 -- pF Crss Reverse Transfer Capacitance -- 495 -- pF Rg Gate Resistance f=1MHz -- 3.4 -- Ω Qg Total Gate Charge VDS=-15V,ID=-20A, VGS=-10V -- 89 -- nC Qgs Gate-Source Charge -- 14 -- nC Qgd Gate-Drain Charge -- 19 -- nC Switching Characteristics d(on) t Turn-on Delay Time VDD=-15V, ID=-20A, RG=3Ω, VGS=-10V -- 182 -- ns r t Turn-on Rise Time -- 262 -- ns d(off) t Turn-Off Delay Time -- 1.3 -- us f t Turn-Off Fall Time -- 9.8 -- us Source- Drain Diode Characteristics@ Tj = 25°C (unless otherwise stated) VSD Forward on voltage ISD=-20A,VGS=0V -- -0.8 -1.2 V rr t Reverse Recovery Time Tj=25℃,Isd=-20A, VGS=0V di/dt=-300A/μs -- 34 -- ns Qrr Reverse Recovery Charge -- 79 -- nC
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