EM88F758N是采用低功耗高速CMOS工艺设计开发的8位微控制器。它有片内8K*16位电可擦式闪存和256x8位的系统可编程 EEPROM。 它的调试功能内建在EM88F758N芯片上。用户可以从JTAG端口读取程序代码，监控片内寄存器状态，并将追踪记录存储值电脑中。 EM88F758N拥有电容式触控功能。一个独立的触控键，用塑料或玻璃盖子封装。系统控制器根据手指的位置和人性化界面的内容 可转换手指数据为按钮的按压。 使用在线仿真调试接口，用户可以为义隆的flash芯片开发代码。
CPU配置 8K16位flash存储器 (48+512)字节通用寄存器 256字节片内可编程EEPROM 超过10年的数据保持时间 16级堆栈用于子程序嵌套 耗电流小于1.5mA @5V/4MHz 耗电流典型值为15A @3V/16kHz， 耗电流典型值22A @3V/32kHz， 休眠模式下耗电流典型值为1 A 3级可编程复位电压: LVR： 2.7V,1.65V (BOR), 1.5V(POR) 1组4级可编程电平电压检测器LVD: 4.5V, 4.0V, 3.3V, 2.2V 6种CPU运行模式(正常,绿色,空闲,休眠,TK空闲,TK休眠) I/O端口配置 6组双向I/O端口: P5~P9, PA 4组可编程引脚变化唤醒端口: P5~P8 6组可编程上拉 I/O端口: P5~P9, PA 6组可编程下拉 I/O端口: P5~P9, PA 6组可编程漏极开路 I/O端口: P5~P9, PA 6组可编程高灌/驱动 I/O端口: P5~P9, PA 工作电压范围: 在-40C~85C为2.0V~5.5V (工业级) 在0C~85C为1.8V~5.5V (商业级) 工作频率范围 (基于两个主时钟): 主振荡器: 晶振模式: DC ~ 20MHz@4.5V~5.5V DC ~ 16MHz@3.5V~5.5V DC ~ 8MHz@2.0V~5.5V DC ~ 4MHz@1.8V~5.5V IRC模式: DC ~ 20MHz@4.5V~5.5V DC ~ 16MHz@3.5V~5.5V DC ~ 8MHz @2.0V~5.5V DC ~ 4MHz @1.8V~5.5
