EM88F715N 是采用低功耗高速CMOS工艺设计开发的8位微控制器,使用仿真器内核仿真并可模拟4K*16位的可编程 ROM。此规格书用于16位仿真器内核的模拟。 2 特性 CPU 配置 支援4K16位可编程ROM (48+256)字节通用目的寄存器 16级堆栈用于子程序嵌套 在5V/4MHz 条件下耗电流低于mA 在3V/16kHz 条件下耗电流典型值为 A 在3V/32kHz 条件下耗电流典型值为 A 休眠模式期间耗电流典型值为 A 4个可编程电平电压复位 LVR: 2.3V/ 2.5V, 3.3V/ 3.5V, 3.8V/ 4.0V 16个可编程电平电压侦测器 HLVD : 2.2V, 2.3V, 2.4V, 2.5V, 2.6V,2.8V,2.9V, 3.1V, 3.3V,3.5V, 3.7V, 3.9V, 4.1V, 4.3V, 4.5V, 4.7V 4种CPU工作模式(正常、低速、空闲、休眠) I/O 端口结构 4组双向I/O端口: P5, P6, P7, P8 4组可编程引脚改变唤醒端口: P5, P6, P7, P8 4组可编程下拉I/O端口: P5, P6, P7, P8 4组可编程上拉I/O端口: P5, P6, P7, P8 4组可编程漏极开路I/O端口: P5, P6, P7, P8 4组可编程高灌/驱动I/O端口: P5, P6, P7, P8 8个外部中断引脚 工作频率范围: 2.2V~5.5V在-40C~85C (工规) 工作频率范围(基于 2 个时钟) 主振荡器: 晶振模式: DC~20 MHz@4V; DC~16 MHz@3V; DC~8 MHz@2.2V