上海伯东代理美国 KRI 考夫曼离子源主要应用于真空环境下的离子束辅助沉积, 纳米级的干式蚀刻和表面改性.
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常见的工艺应用 |
简称 |
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In-Situ Substrate Preclean 基片预清洗 |
PC |
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Ion Beam Modification of Material & Surface Properties 离子束材料和表面改性 |
IBSM |
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- Surface polishing or smoothing 表面抛光 |
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- Surface nano structures and texturing 改变纳米结构和纹理 |
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- Ion figuring and enhancement 离子刻蚀成形 |
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- Ion trimming and tuning 离子表面优化 |
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- Surface activated bonding |
SAB |
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Ion Beam Assisted Deposition 离子束辅助沉积 |
IBAD |
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Ion Beam Etching 离子蚀刻 |
IBE |
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- Reactive Ion Beam Etching 反应离子蚀刻 |
RIBE |
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- Chemically Assisted Ion Beam Etching 化学辅助离子蚀刻 |
CAIBE |
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Ion Beam Sputter Deposition 磁控溅射辅助沉积 |
IBSD |
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- Reactive Ion Beam Sputter Deposition 反应离子磁控溅射沉积 |
RIBSD |
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- Biased Target Ion Beam Sputter Deposition 偏压离子束磁控溅射 |
BTIBSD |
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Direct Deposition 直接沉积 |
DD |
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- Hard and functional coatings 硬质和功能膜 |
作为一种新兴的材料加工技术, 美国 KRI 考夫曼离子源凭借出色的技术性能, 协助客户获得理想的薄膜和材料表面性能. 行业涉及精密光学, 半导体制造, 传感器, 医学等多个领域.
若您需要进一步的了解产品详细信息或讨论, 请联络上海伯东邓女士, 分机134
