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华润华晶CS45N06A4

  • 发布时间：2022-11-26 11:37:53,加入时间:2022年04月22日(距今1135天)
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  • 公司:深圳市光华创新科技有限公司, 用户等级:普通会员 已认证
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描述

CS45N06A4是硅N沟道增强型VDMOSFET，通过高密度沟槽技术获得，可降低传导损耗、提高开关性能和增强雪崩能量。该设备适合用作负载开关和PWM应用。包装形式为TO-252，符合RoHS标准。

特点

快速切换

低导通电阻（Rdson≤16米Ω)

低栅极电荷 

低反向转移电容

100%单脉冲雪崩能量测试

应用

适配器和充电器的电源开关电路

LED背光驱动器

同步校正

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