新洁能12-200V N沟道MOSFET NCE6

描述

NCE6080A采用先进的沟槽技术和设计，以低栅电荷提供优良的R_DS(ON)。它可以用于各种各样的应用。

总体特点

-V_DS = 60V, I_D = 80A

R_DS(ON)<6.3mΩ @ V_GS=10V

R_DS(ON)<7.8mΩ @ V_GS=4.5V

-高密度电池设计，超低R_DS(ON)

-全特性雪崩电压和电流

-稳定性好，均匀性好，E_AS高

-优良的包装，散热性好

应用

-PWM

-负荷开关