新洁能12-200V N沟道MOSFET NCE0

描述

NCE0117K采用先进的沟槽技术和设计，以较低的栅极电荷提供优良的R_DS(ON)。它可以用于各种各样的应用。

总体特点

-V_DS = 100V, I_D = 17A

R_DS(ON) < 70mΩ @ V_GS=10V (Typ:56mΩ)

R_DS(ON) < 85mΩ @ V_GS =4.5V (Typ:65mΩ)

-高密度电池设计，超低R_DS(ON)

-全特性雪崩电压和电流

-稳定性好，均匀性好，E_AS高

-优良的包装，散热性好

-特殊工艺技术，防静电能力强

应用

-电源开关应用

-硬切换和高频电路