FF200R12KT4
技术参数：
• Ic(A),Tc=80℃ 200
• Vce(sat),Max(V) 2.15
• Ton(us) 0.18
• Toff(us) 0.54
• Rth(j-c),K/W 0.135
• Pc(W) 1100
• 封装 62mm
• 电路结构 半桥
FF200R12RT4是英飞凌EconoDUAL™系列IGBT模块，具有沟槽结构，并通过在传统的NPT-IGBT的衬底和集电区之间加入一个n型掺杂附加层，这个附加层被称为电场终止（fieldstop），这样结合了 PT 和 NPT 技术的优势。该技术可使静态和动态损耗减至最小，加上 IGBT3 具有更高电流密度，它还可扩展系列产品的功率范围。硅片结温可高达175℃，运行温度可达150℃。低损耗，FF200R12RT4 IGBT模块具有低EMI噪声，高可靠性，高运行结温等优点。主要应用在100KW光伏逆变器，电机驱动，电源等领域。
FF100R12KS4
FF200R12KS4
FF300R12KS4
FF400R12KS4
FF600R12KS4
FF100R12KT4
FF200R12KT4
FF300R12KT4
FF450R12KT4
FF100R12RT4
FF200R12RT4
FF300R12RT4
