CJAB3R9SN04C N通道MOSFET功率

  • 发布时间:2024-04-16 15:19:04,加入时间:2023年10月26日(距今187天)
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CJAB3R9SN04C N通道MOSFET功率描述

N 通道增强型功率场效应晶体管采用 SGT 技术。这种先进的技术已经特别定制,以最小化导通状态电阻,提供优越的开关性能,并承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。FEATURES 电池开关负载开关用于超低 RDS (ON)的高密度电池设计具有完全特性的雪崩电压和电流用于良好散热的优秀封装应用开关和通用应用硬开关和高频电路不间断电源。

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