Powerex HVIGBT 具有高度绝缘的外壳 通过更大的爬电距离和撞击间隙距离为许多要求苛刻的应用（如中压驱动器和辅助牵引应用）提供增强的保护。
Powerex 自制器件的 Powerex IGBT/HVIGBT系列采用CSTBT（载流子存储沟槽栅双极晶体管）技术 支持工业应用所需的降低功率损耗和小型化。Powerex HVIGBT 和 HV 二极管具有高度绝缘的外壳 通过更大的爬电距离和冲击间隙距离为许多要求苛刻的应用（如中压驱动器和辅助牵引应用）提供增强的保护。
POWEREX双IGBTHVIGBT模块QID4515004 POWEREX QID4515004 性能特点
-40 至 150°C 扩展温度范围
100% 动态测试
100% 局部放电测试
Mitsubishi R 系列芯片技术
低热阻抗的氮化铝 (AlN) 陶瓷基板
将电流范围扩大到Mitsubishi HVIGBT 功率模块的互补产品阵容
铜基板
爬电距离和电气间隙符合 IEC 60077-1
坚固的 SWSOA 和 RRSOA
POWEREX双IGBTHVIGBT模块QID4515004 POWEREX QID4515004 技术参数
