OIT15C-NR 包含在硅光电晶体管的单片阵列中。光电晶体管在背面基板上有一个公共集电极 该集电极连接到单个焊盘 每个发射器都可以访问特定的焊盘。阵列的光学间距为 0.45 mm LCC 封装电气间距为 1.10 mm。每个元件的有效面积为 0.25 x 0.50 mm2。
该产品的优点是硅传感器的高度均匀性 由于单片结构和受控的微电子过程 信号的高稳定性和高光学响应性 由于沉积在光电晶体管区域上的抗反射涂层。
该设备采用薄塑料薄膜保护 可抵抗回流炉工艺。一旦将设备组装到电子板上 就须去除薄膜 用户可以安装光学标线片。尺寸减小 以优化成本和编码器空间。两个参考标记可用于准确的标线定位。
OPTOI光电晶体管阵列OIT15C-NR OPTOI OIT15C-NR 性能特点
耐焊接工艺 MSL2
硅电池的高均匀性
更小的光学间距 更宽的有效区域
高增益
非常小的尺寸
准确安装的参考点
提供分划板组装服务
OPTOI光电晶体管阵列OIT15C-NR OPTOI OIT15C-NR 技术参数
工作温度范围：-40 100 °C
储存温度：-40 100 °C
引线温度（焊锡）3s：230 °C
集电极-发射极击穿电压@TA=25°C IB=100nA IC=1mA：50 V
功耗 TA=25°C 时：150 mW
静电放电敏感性：3级
暗电流 VR=10V：典型5nA max.100 nA
响应度：0.5 A/W
峰值响应度 VCE=5V：750 nm
光谱带宽@50% VCE=5V：500…950 nm
发射极-集电极电流 VCE=7.7V：0.025…100 μA
集电极-发射极电流 VCE=52V：0.025…100 μA
增益 VCC=5V IC=2mA：典型500 min.1100 max.500
饱和电压 IE=2mA IB=20μA：80…200 mV
通态集电极电流 VCE=5V EE=1.0mW/cm2：1 mA
上升时间VCC=5V IC=1mA R1=1kΩ：10 μs
下降时间 VCC=5V IC=1mA R1=1kΩ：10 μs
光电晶体管有效面积：0.125 mm2
有效区域长度：0.25 mm
有效区域宽度：0.50 mm
产品应用
光学编码器
增量编码器
光接收器
控制/驱动
光传感器
