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YF5N50B--NMOS管，耐压500V

  • 发布时间：2024-05-22 17:50:14,加入时间:2017年03月16日(距今2625天)
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N-channel MOSFET

Features

High ruggedness

BVDSS : 500V

RDS(ON) (Max 3.15Ω)@VGS=10V

ID: 3A

Fast reverse recovery body diode

RDS(ON) : 2.70ohm

Improved dv/dt Capability

Avalanche Tested

YF5N50B--NMOS管，耐压500V

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