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PL2300 N沟道MOSFET场效应管

  • 发布时间：2025-05-05 16:54:39,加入时间:2023年08月01日(距今688天)
  • 地址:中国»安徽»合肥:深圳市福田区华强北赛格24楼2405A
  • 公司:深圳市百盛新纪元半导体有限公司, 用户等级:普通会员 已认证
  • 联系：郑晓晓,手机:13244719162 电话：18948314942 QQ:2851339680

特征
用于低RDS的超高密细胞沟槽设计（开启）。
坚固而可靠。

表面安装软件包。

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