磷化铟（InP）材料因其高电子迁移率、直接带隙特性及良好的光电性能，在光通信、高频器件等领域具有重要应用。其抛光液作为化学机械抛光（CMP）工艺的核心耗材，需满足材料特性与工艺需求的双重挑战。
一、磷化铟材料特性对抛光液的技术要求
软脆性与易损伤性
InP莫氏硬度仅为3，质地软脆，传统机械抛光易导致表面划痕或破碎。抛光液需通过化学腐蚀与机械研磨的协同作用，在低压力下实现高效材料去除。例如，采用氧化剂（如H₂O₂）在表面形成软质氧化层，再通过纳米级磨料（如SiO₂或Al₂O₃）的机械作用去除，避免直接硬接触。
化学稳定性与腐蚀控制
InP易与酸性或碱性抛光液反应，导致表面“桔皮”现象或过度腐蚀。抛光液需精确调控pH值（通常为中性或弱碱性），并添加缓蚀剂（如有机碱）以抑制副反应。例如，H₃PO₄-H₂O₂-SiO₂体系需优化H₂O₂浓度以平衡氧化速率与腐蚀风险。
表面粗糙度与晶格完整性
光电器件要求表面粗糙度低于0.5 nm，且无亚表面损伤。抛光液需通过磨料粒径分布（如D50=70-90 nm）与分散剂协同作用，实现均匀去除。例如，聚丙烯酸类分散剂可防止磨料团聚，提升表面一致性。
产品名称：磷化铟抛光液
产品型号：KND-LP30
产品浓度：≥30%
