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维安WMQ55P02T1 20V P通道功率MOS

  • 发布时间：2025-06-26 15:01:53,加入时间:2025年06月13日(距今13天)
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维安 20V P-通道增强模式功率MOS


描述

维安WMQ55P02T1 采用了先进的功率沟槽技术，该技术经过特别优化，旨在最小化导通电阻，同时保持卓越的开关性能。

特性

Vos=-20V, lD=-55A

Ros（on）< 8.2 @ VGS = -4.5V

Ros（on）<10mΩ @ VGS = -2.5V

绿色设备可用

RoHS 合规且不含卤素

高级高细胞密度沟槽技术

100% EAS 保证

应用

电源管理开关

DC/DC 转换器

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