维安WM02P60M2 P-Mos
特性:
Vos=-20V, ID= -6A
Rs(on)( < 23mΩ @ Vcs = -4.5V
Rs(on) < 30mΩ @ Vcs = -2.5V
专为极低RDS(on)设计的超高密度单元设计,卓越的串联电阻和直流电流能力。
维安WM02P60M2 P-Mos
特性:
Vos=-20V, ID= -6A
Rs(on)( < 23mΩ @ Vcs = -4.5V
Rs(on) < 30mΩ @ Vcs = -2.5V
专为极低RDS(on)设计的超高密度单元设计,卓越的串联电阻和直流电流能力。
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