ESD解决方 晶导微MOS管 ESDB3V3DS2

  • 发布时间:2025-06-30 14:40:36,加入时间:2025年06月13日(距今17天)
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晶导微的,ESD保护的瞬态电压抑制器 ESDB3V3DS2,大量库存。

特性

1,超小封装

2,响应时间通常<1纳秒

3,对人体模型而言,ESD大于30kV

4,IEC61000−4−2 Level 4 ESD保护

5,HF 产品

使用场景

1,适用于手机音频。

2,MP3 播放器

3,数字相机

4,便携式设备

5,移动电话

6,其他场景

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