物料说明：
晶导微ESDB5V0DS2LP1A旨在保护需要超低电容的电压敏感元件免受ESD和瞬态电压事件的影响。出色的箝位能力、低泄漏和快速响应时间使这些器件成为电路板空间非常宝贵的设计中 ESD 保护的理想选择。由于其低电容，它适合用于高频设计，如USB2.0高速和天线线应用。
特性
隔离电压：5V。
根据规定为每条线路提供瞬时保护。
IEC61000-4-2（ESD）: ±30kV （接触） ±30kV （空气）
IEC61000-4-5（闪电）：8A （8/20μs）
超低电容：Cj = 15皮法（典型值）。
低泄漏电流
