1. 极致功率密度，突破性能边界
硬核参数：1200V阻断电压+400A额定电流，支持高压大电流稳定输出； 能效升级：基于IGBT4芯片技术优化，导通损耗（Vce(sat)）较前代降低15%，开关损耗同步优化，系统效率提升至98%+； 紧凑设计：采用62mm C-Series封装，体积较传统模块缩小20%，适配紧凑型设备空间布局。2. 全工况可靠运行，应对严苛环境
宽温适应性： 工作温度范围：-40℃~+125℃（外壳），结温耐受值达175℃，无惧高温、高湿、振动等恶劣工况； 抗老化设计：通过10万小时长期老化测试，寿命较同类产品延长30%。 智能保护机制：集成短路保护（SC）、过流保护（OC）及温度监控功能，搭配宽范围驱动兼容性，实现故障零容忍。
