供应英飞凌IGBT BSM300GA120DN2S

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IGBT

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。BSM200GA120DLC          BSM200GA120DLCS
BSM300GA120DLC          BSM300GA120DLCS
BSM400GA120DLC          BSM400GA120DLCS
BSM600GA120DLC          BSM600GA120DLCS
BSM200GA120DN2          BSM200GA120DN2C
BSM200GA120DN2S         BSM300GA120DN2
BSM300GA120DN2S         BSM400GA120DN2
BSM400GA120DN2S         FZ300R12KE3B1G
FZ300R12KE3G            FZ400R12KE3
FZ400R12KE3_B1          FZ600R12KE3
FZ600R12KE3_B1          FZ800R12KE3
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FZ600R12KS4             FZ800R12KS4_B2
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