开关电源的电子辐照管与钳位型开关管的比较：电子辐照能在硅中引入多种深能级， 这些能级将根据其在禁带中的位置， 对电子空穴俘获截面的大小以及能级密度的大小等均对非平衡载流子的复合起贡献，从而引起少子寿命、载流子浓度的降低，因此影响了与少子寿命有关的一些参数， 如晶体管的开关时间、电流放大系数（ hFE ）等。
实验中把未经封装的功率双极晶体管APT13003E 圆片分为四组， 其中第一组作为对照组， 不做辐照处理， 其余三组经过10M eV 的电子辐照， 辐照剂量分别为5 kGy、10 kGy、15 kGy, 辐照完成后， 经过200℃2 h的高温退火处理， 然后四组圆片经过封装后成为成品。
采用钳位型开关晶体管也能降低开关晶体管的关断延时，其原理是通过钳位电路使VBC在晶体管导通时不能增加到深饱和所需的0. 7 V, 这样注入集电结两侧的少子很少，使超量储存电荷很少，这样储存时间大大缩短。采用钳位型开关晶体管主要有两种， 一种是在集电结并联二极管的晶体管，由于在高温下漏电电流较大， 其ts - Vcesat的Tradeo ff关系最差， 目前应用较少。另一种是横向PNP钳位型晶体管，它在高温下漏电较小， 能得到较好的Trade-off关系，电流放大系数基本不变， 目前得到了越来越多的应用。
