igbt管在使用过程中，经常受到容性或感性负载的冲击，发生过负荷甚至负载短路等，可能导致igbt管损坏。igbt管在使用时的损坏原因主要有过电压损坏和静电损坏
igbt管在关断时，由于电路中存在电感成分，关断瞬间将产生尖峰电压。如果尖峰电压超过igbt管器件的峰值电压，将造成igbt管击穿损坏。igbt管过电压损坏可分为集电极一栅极过电压、栅极一发射极过电压、高du/dt过电压等。
大多数过电压保护电路的设计都比较完善，但是对于由高du/dt所致的过电压故障，在设计中基本上都是采用无感电容或者rcd结构的吸收电路。由于吸收电路设计的吸收容量不够，会造成igbt管损坏，对此可采用电压钳位，往往在集电极和栅极两端并接齐纳二极管（使用美国diodes公司的1.5ke××a产品系列），采用栅极电压动态控制方式。当集电极电压瞬间超过齐纳二极管的钳位电压时，超出的电压将叠加在栅极上（米勒效应起作用），避免了igbt管因受集电极一发射极过电压而损坏。
采用栅极电压动态控制可以解决由于过高的du/dt带来的集电极一发射极瞬间过电压问题，但是它的弊端是：当igbt管处于感性负载运行状态时，关断的igbt管由于其反并联二极管（续流二极管）的恢复，其集电极和发射极两端的电压急剧上升，承受很高的瞬间du/dt。在多数情况下该du/dt值要比igbt管正常关断时的集电极一发射极电压上升率高。
由于米勒电容（cres）的存在，该du/dt值将在集电极和栅极之间产生一个瞬间电流流向栅极驱动电路。该电流与栅极电路的阻抗相互作用，直接导致栅极一发射极电压uge升高，甚至超过igbt管的开通门限电压ugeth，出现的恶劣情况就是使igbt管被误触发导通。
西门康模块skiip1814gb17e4-3dl
