1、参数和元器件选择
a：电感要用加屏蔽的电感
b：续流二极管D2要用肖特基二极管，尽可能的话在二极管管脚上套个磁珠
c:输入和输出电容要采用一个大电容和一个小电容连接，分别滤除低频和高频杂波
d：MOS管要用导通Vgs(th)＜3V，导通内阻尽可能小的N-MOS
e：IC工作频率控制在100K Hz以下干扰较小,频率高会造成干扰较大。(Coff增大可以减小IC工作频率)
2、布线规则
a:  IC的VDD电容C4要靠近IC的VDD和GND引脚；
b: Coff电容C3要靠近IC的引脚和GND，防止寄生引起误差；
c IC的VSS，Coff电容的地，COMP脚电容的地，C4的地（前面四个地可认为是模拟地，要和功率地分开），
先接到C3的地，再连接到C2的负极，再连接到C1的负极，
d:  MOS的栅极要靠近IC的DRV，也可以在MOS栅极和pin5之间串联一个小电阻和小电容，减小干扰；
e:限流电阻R8，R9，R10要靠近MOS源极，同时在接一个1K的电阻到IC的CS脚，R8,R9，R10地要单点连接
到C2的负极再接到C1的负极，不可以和前面提到的地直接相连，以免干扰；
f:IC的FB脚输出电流设定电阻R12，R13要靠近IC引脚，可以在中间接一个R7=10K电阻。
g:图示的电感充电回路和放电回路为功率回路，IC的模拟地和功率地要分开，两个功率回路(电路图已
画出)走线尽量短，面积小，布线时不能走闭环，IC布局时不要放在功率回路内且不要靠近电
感，避免电磁干扰，C1的负极要采用星形连接（如下图），强制电流先经过C1负极滤波后再到输入电源负极。