用于半导体器件的扩散、氧化退火、烧结等工艺设备,也可做为磁性材料的烧结工艺,还可适用于机械行业的淬火、冶金业稀土的烧结工艺。
主要技术指标:
产品名称:真空扩散炉
规格: 内φ130㎜×1100mm
使用温度:1200℃
工作温度:1150℃
真空室等温区长度:≥400mm
等温区温度均匀度:(1150℃)±1℃
单点控制精度:±1℃/24小时
升温功率:≤16KW
保温功率:≤7KW
开机重复性:±1℃
冷态真空度:10-3Pa以下
炉体移动速度:≥2米/分钟
炉体定位精度:≤±2毫米
升温时间:≤70min(加载后至恒温时间)
降温时间:≤30min(工件出炉温度≤100℃)
充气压力:≤0.2Mpa
供电方式:三相四线 380V±10% 50Hz
单工作室有效负载重量:≥6kg(指工件及模具重量)
|