·描述 ，，，，真空烧结炉;双工位立式真空烧结炉;立式真空烧结炉;单、双管卧式真空烧结炉;四氟烧结炉;陶瓷烧结炉;链（带）式烧结炉;全功能微控扩散系统;真空扩散炉;系列高温扩散炉;烘焙排腊炉;单管氢气炉;陶瓷金属化氢气烧结炉;马弗炉;消磁炉;全钽玻璃绝缘子熔封炉;PFJ-2型平行缝焊机;Y80-2/ RZQ;WDNI系列高精度电脑温度控制系统;WDNX多功能温度控制系统 本设备适用于对其有内腔的微电子器件和半导体器件的气密性进行粗检漏，可利用氟氮化合物进行一步粗检漏及二步粗检漏，也可与氦质谱检漏仪相配合，利用氦气进行检漏。 主要技术指标： 1、加压缸内径ф145毫米，深225毫米，加压缸充气系统额定气压2-7公斤/厘米2 2、检漏精度：    一步氟氮化合物进行粗检漏，可检漏气速率≥10-3 大气压厘米3/秒    二步氟氮化合物进行粗检漏，可检漏气速率≥10-5 大气压厘米3/秒 二、技术指标 1. 设备安装面积130×80（厘米），工作面高84厘米。 2. 加压缸内径ф145毫米，深225毫米。    加压缸充气系统额定电压：（2-7公斤/厘米2）176.133～686.466Kpa    电磁阀电源：交流220V 3. 检漏液电加热器额定功率500W，自动控温    照明灯：220V，6W，1只 4. 循环水冷凝器耗水量5升/小时 5. 检漏精度：   （1）一步氟碳化合物粗检漏，可检漏气速率≥10-3大气压厘米3/秒   （2）二步氟碳化合物粗检漏，可检漏气速率≥10-5大气压厘米3/秒