天高微长期供应MID专用开关MOS-ME2345A/ME2323D/SI2301/SI2302/SI2305/SI2300/AO3401/AO3400长期大量现货价格优势
ME2345A P沟道增强型功率逻辑场效应晶体管， 采用SOT23-3封装可代用AO3401A
RDS(ON) ≦68mΩ@VGS=-10V
RDS(ON) ≦80mΩ@VGS=-4.5V
RDS(ON) ≦100mΩ@VGS=-2.5V
VDS=-30V,ID=-3.6A
超高密度细胞设计的非常低的RDS（on）
特殊性和直流电流.
ME2323D是一款 P沟道增强型功率逻辑场效应晶体管.
封装形式SOT23-3带ESD保护功能
ME2323D可代用AO3423,AO3415质量更好
FEATURES
RDS(ON) ≦50mΩ@VGS=-4.5V
RDS(ON) ≦65mΩ@VGS=-2.5V
RDS(ON) ≦75mΩ@VGS=-1.8V
VDS=-20V,ID=-4.2A
超高密度细胞设计的非常低的RDS（on）
特殊性和直流电流
SI2301 SOT23 P沟道MOS
&#; -20V/-2.5A,
RDS(ON)= 85mΩ (typ.) @ VGS= -4.5V
RDS(ON)= 110mΩ (typ.) @ VGS= -2.5V
SI2302 SOT23 N沟道MOS
· 20V/3A,
RDS(ON)= 50mW(Typ.) @VGS= 4.5V
RDS(ON)= 65mW(Typ.) @ VGS= 2.5V
RDS(ON)= 120mW(Typ.) @VGS= 1.8V
SI2305 SOT23 P沟道MOS
· -20V/-4A,
RDS(ON)=40mW (typ.) @VGS=-4.5V
RDS(ON)=55mW (typ.) @VGS=-2.5V
SI2300 SOT23 N沟道MOS
• 20V/6A , RDS(ON)=25mΩ(typ.) @ VGS=10V
RDS(ON)=32mΩ(typ.) @ VGS=4.5V
RDS(ON)=40mΩ(typ.) @ VGS=2.5V
AO3400 SOT23 N沟道MOS
VDS (V) = 28V
ID = 3.8 A (VGS = 10V)
RDS(ON) < 28mΩ (VGS = 10V)
RDS(ON) < 33mΩ (VGS = 4.5V)
RDS(ON) < 52mΩ (VGS = 2.5V)
绿色环保长期现货供应。
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