SVF8N60T/F N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。
命名规则
产品
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DTS6503 DTS6504 DTC2058 DTC2059 DTC3058 DTC3059
DTU30N02 DTU40N03 DTU15P03 DTU50N03 DTU50P03 DTU80P03
DTU40N06 DTU40P06 DTU40N10 DTU15N10 DTM8205 DTM9926
DTM9435 DTM4953 DTM4435 DTM4606 DTM4410 DTM4425
DTM4936 DTM4616 DTM4420 DTM4407 DTM9410 DTM4946
DTM6910
