天高微代理8205 原装8205 现货8205

  • 发布时间:2014-05-06 17:54:03,加入时间:2014年02月21日(距今4126天)
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天高微长期供应商移动电源MOS-ME2345A/ME2323D/8205/ME4542现货

ME2345A P沟道增强型功率逻辑场效应晶体管,是利用高密度,DMOS沟道技术。

采用SOT23-3封装可代用AO3401A

RDS(ON)≦68 mΩ“VGS = - 10V

RDS(ON) ≦80m@VGS=-4.5V

RDS(ON)≦8000 mΩ“VGS = 4.5v

RDS(ON)≦100 mΩ“VGS = 2.5V

超高密度细胞设计的非常低的RDS(on)

特殊性和直流电流.

ME2323D是一款 P沟道增强型功率逻辑场效应晶体管.

封装形式SOT23-3带ESD保护功能

ME2323D可代用AO3423,AO3415质量更好

P沟道MOSFET 20-V(D-S)

RDS(ON)≦5000 mΩ“VGS = 4.5v

RDS(ON) ≦65 mΩ@VGS=-2.5V

RDS(ON)≦6500 mΩ“VGS = 2.5V的

RDS(ON) ≦75 mΩ@VGS=-1.8V

RDS(ON)≦7500 mΩ“VGS = -1.8v

超高密度细胞设计的非常低的RDS(on)

特殊性和直流电流

8205共漏极双N沟道增强型功率场效应管具有快速开关、超低导通电阻和高性价比的特点。
适用于设计电池保护或低特点,

封装形式:TSSOP8/SOT23-6
 低导通电阻
 低驱动电流
 低栅极电压2.5V
(ON)B<26mΩ (Typ.22mΩ) @ VBGSB=4.5V

漏源电压 VBDSB  20 V
栅源电压 VBGSB   ±10 V

漏极电流,VBGS B=4.5V,@TBaB=25°C IBD B=6 A
漏极电流,VBGS B=4.5V,@TBaB=70°C IBD B=4.8 A

ME4542是N加P沟道增强型功率逻辑场效应晶体管.利用高密度,DMOS沟道技术。

可代替AO4606/AO4616

RDS(ON)≦2500mΩ“VGS = 10V(N沟道)

RDS(ON)≦40mΩ@VGS=4.5V (N沟道)

RDS(ON)≦4000 mΩ“VGS = 4.5V(N沟道)

RDS(ON)≦35mΩ@VGS=-10V (P-Ch)

RDS(ON)≦3500 mΩ“VGS = - 10V(P沟道)

RDS(ON)≦58mΩ@VGS=-4.5V (P-Ch)

RDS(ON)≦5800 mΩ“VGS = 4.5V时(P沟道)

Super high density cell design for extremely low RDS(ON)

超高密度设计的非常低的RDS(on)

应用:移动电源

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