天高微长期供应商移动电源MOS-ME2345A/ME2323D/8205/ME4542现货
ME2345A P沟道增强型功率逻辑场效应晶体管，是利用高密度，DMOS沟道技术。
采用SOT23-3封装可代用AO3401A
RDS（ON）≦68 mΩ“VGS = - 10V
RDS(ON) ≦80m@VGS=-4.5V
RDS（ON）≦8000 mΩ“VGS = 4.5v
RDS（ON）≦100 mΩ“VGS = 2.5V
超高密度细胞设计的非常低的RDS（on）
特殊性和直流电流.
ME2323D是一款 P沟道增强型功率逻辑场效应晶体管.
封装形式SOT23-3带ESD保护功能
ME2323D可代用AO3423,AO3415质量更好
P沟道MOSFET 20-V（D-S）
RDS（ON）≦5000 mΩ“VGS = 4.5v
RDS(ON) ≦65 mΩ@VGS=-2.5V
RDS（ON）≦6500 mΩ“VGS = 2.5V的
RDS(ON) ≦75 mΩ@VGS=-1.8V
RDS（ON）≦7500 mΩ“VGS = -1.8v
超高密度细胞设计的非常低的RDS（on）
特殊性和直流电流
8205共漏极双N沟道增强型功率场效应管具有快速开关、超低导通电阻和高性价比的特点。
适用于设计电池保护或低特点，
封装形式：TSSOP8/SOT23-6
低导通电阻
低驱动电流
低栅极电压2.5V
(ON)B<26mΩ (Typ.22mΩ) @ VBGSB=4.5V
漏源电压 VBDSB 20 V
栅源电压 VBGSB ±10 V
漏极电流，VBGS B=4.5V，@TBaB=25°C IBD B=6 A
漏极电流，VBGS B=4.5V，@TBaB=70°C IBD B=4.8 A
ME4542是N加P沟道增强型功率逻辑场效应晶体管.利用高密度，DMOS沟道技术。
可代替AO4606/AO4616
RDS（ON）≦2500mΩ“VGS = 10V（N沟道）
RDS(ON)≦40mΩ@VGS=4.5V (N沟道)
RDS（ON）≦4000 mΩ“VGS = 4.5V（N沟道）
RDS(ON)≦35mΩ@VGS=-10V (P-Ch)
RDS（ON）≦3500 mΩ“VGS = - 10V（P沟道）
RDS(ON)≦58mΩ@VGS=-4.5V (P-Ch)
RDS（ON）≦5800 mΩ“VGS = 4.5V时（P沟道）
Super high density cell design for extremely low RDS(ON)
超高密度设计的非常低的RDS（on）
应用：移动电源
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