|
适用范围 |
|
应用于电力电子设备，如intelligent power module(IPM模组)内部GTO、IGBT(绝缘栅双极晶体管)等电力器件的高频尖峰电压、电流的缓冲，及与相关模组配套使用的突破吸收，主要设计，系针对大电流、高频、高压场合，包括IGBT/GTO的缓冲电路、高频大电流谐振、直流链支撑、直流母线高纹波处理、高频大电流隔直、AC滤波、高电压应用等，产品适用范围包括变频器、UPS/EPS不断电系统、太阳能/风力发电并网线路、电动汽车、混合动力汽车、高频开关电源、电镀电源、逆变焊机、逆变电源、感应加热设备等。 |
|
主要技术参数 |
|
容量公差：±5%、±10% |
|
电容量：0.47～150μF |
|
电压：700～2000VDC |
|
耐电压：1.75Un/10S |
|
耐冲击电流：dv/dt>1000V/us |
|
环境温度：-45℃～70℃ |
|
损耗角正切因数：≤0.2% |
|
特点： |
|
采用金属化薄膜无感式卷绕，特殊喷金工艺，塑壳或迈拉胶带封装，阻燃环氧树脂密封，铜导线、铜螺栓、铜螺母或插片引出；产品稳定性高、体积小、自愈性好、频率特性好、过电流能力强、损耗小，电感小。 |
