（ high power semiconductor discretes parameter testing system）
系统指标System specifications
主极参数Main - pole parameters
1、主极电压：2000V，1000V（用户可选）
2、电压分辨率：1mV
3、主极电流：0—50A。 可扩展到：100A / 200A / 400A/600A / 800A / 1000A / 1250A
4、电流分辨率：1nA 可扩展为1pA
5、测试精度：0.2%+2LSB
6、测试速度：0.5MS/参数
系统参数配置preferences ：
a.正常配置提供的高阳极电压2000V，阳极电流50A；电压电流扩展可提供的选件有2000V阳极高压
b.选件，250A/500A/750A /1000A/1250A阳极大电流选件。
c.电压分辨率：1mV；电流分辨率：1nA
d.此外还可提供的小电流测试台选件，能够将漏电流测量分辨率从1nA扩展到10pA。
e.测试速度：0.5mS/参数
测试范围Test range
1) 二极管 DIODE
2) 晶体管 TRANSISTOR（NPN型/PNP型）
3) 稳压（齐纳）二极管 ZENER
4) 结型场效应管 J-FET （N-沟/P-沟，耗尽型/增强型）
5) MOS场效应管 POWER MOSFET（N-沟/P-沟）
6) 三端稳压器 REGULATOR（正电压/负电压，固定/可变）
7) 光电耦合器 OPTO-COUPLER（NPN型/PNP型）
8) 可控硅整流器（普通晶闸管） SCR
9) 双向可控硅 （双向晶闸管） TRIAC
10) 绝缘栅双极大功率晶体管 IGBT（NPN型/PNP型）
11) 光电逻辑器件 OPTO-LOGIC
12) 双向触发二极管 DIAC
13) 固态过压保护器 SSOVP
14) 光电开关管 OPTO-SWITCH
15) 硅触发开关 STS
16) 继电器 RELAY
17) 金属氧化物压变电阻 MOV
18) 压变电阻 VARISTOR
19) 达林顿阵列Darlington Array DARLINTON
