广州友联蓄电池代理

友联蓄电池除上述通过改善非晶硅材料的S-W效应来提高电池的光电转换效率的稳定性以外, 人们还从电池结构上采取措施, 其中重要的就是

 

采用多带隙叠层电池结构, 即多个不同带隙的p-i-n结叠加的结构, 这样可减薄每个子电池的i层厚度, 使每个电池的内电场增强, 

采用3极ATS和采用4极ATS的转换电路的性能分析

综上所述，当前电信和数据中心低压配电电路中，采用的市电/发电机组转换电路主要有4种，这4种转换电路的性能比较见表1。

表1 各种转换电路的性能

序

号转换电路 对GFP的影响 转换过程中性线中断 性能评价

13极ATS(发电机中性线经市电中性线接地)见图1。在有两个以上ATS 的场合有影响。 无 在只有一个ATS 的系统中为理想的转换电路。

23极ATS(发电机中性线在发电机处独立接地)见图3。影响严重。 无市电中性线在市电进线柜和发电机两处接地，违反TN-S系统要求。

34极ATS(中性线先断后合转换)见图6。无影响。 有转换过程中性线有中断，对下游负载有影响。

44极ATS(中性线先合后断转换或中性线重叠转换)见图7。在中性线重叠期间有影响，但可通过调节GFP动作时间解决。 无对GFP和中性线中断均无影响，是较理想的转换电路。

图1的3极ATS转换电路在只有一个ATS的场合，是比较理想的转换电路。

图3的3极ATS转换电路，在市电变压器和发电机两处接地，必然引起接地故障电流和中性线电流的分流，造成接地故障保护异常。此电路在工程中偶有所见，但属于设计或施工的失误，在市电低压进线开关采用接地保护的场合，应避免采用图3的转换电路。

图6和图7的4极ATS转换电路，解决了3极转换关电路对接地故障保护装置的影响的问题，近年来应用日益增多。但由于采用的中性线转换方案的不同，尚存在着转换过程中性线中断的问题，值得注意和研究，谨慎采用。图6的电路转换过程中性线有中断现象，对下游电路特别是UPS有严重影响。图7的转换电路在中性线重叠期间对GFP装置有影响，因此，要求中性线重叠时间不宜过长，同时应适当调节GFP的响应时间。

下面着重讨论4极ATS转换过程引起的UPS 输入电源中性线中断对UPS的影响及解决办法。

4 输入电源中性线中断对UPS的影响

4.1 UPS的接地系统和中性线基准

友联蓄电池对其所连接的负载而言是一个交流电源，对市电电源而言是一个负载。也就是说，UPS涉及到两个低压供电系统，即上游供电系统和下游供电系统。上游接地系统是指市电至UPS输入端的低压接地系统，下游接地系统是指UPS输出端至关键负载的低压接地系统。

用于电信和数据中心、计算机系统的UPS，其上游和下游接地系统均应采用TN-S系统。如前所述，TN-S是电信系统理想的低压接地系统，通信局(站)的低压配电系统都采用

TN-S 系统，也就是说安装在通信局站UPS的上游接地系统必然是TN-S系统。UPS的下游是为关键负载ICT(信息和通信技术设备)供电的，也应采用TN-S系统。-

 

从而增加了每个子电池的载流子收集效率.

 

　　经过十几年的不断探索, 目前在提高非晶硅薄膜太阳电池的效率稳定性方面取得了很大的进步, 其光电转换效率的衰退率已达

 

到小于15%. 光电转换效率本身也有明显的提高, 如小面积的已达到13%, 大面积的已超过10%, 组件的达到7.1%.

 

　　技术上的突破与进步带来了更大规模的发展, 如九十年代中期, 国际上先后建立了数条5-10MW的薄膜太阳电池组件生产线, 生

 

产能力增加了25MW. 生产流程实现了全自动化, 组件面积为平方米量级, 采用新型封装技术, 产品组件寿命达到10年以上.

 

　　我国自70年代末开始研究非晶硅薄膜太阳电池, 到80年代末小面积电池效率达到11.2%, 大面积电池效率超过8%, 均达到国际先

 

进水平. 然而在产业化方面落后于国外, 至今没有一条具有自主知识产权的非晶硅薄膜太阳电池生产线.

 

　　目前研究、开发和生产非晶硅基太阳电池的大企业主要是：

 

　　（1）日本的Kaneka公司。发展a-Si太阳电池有20多年历史，1999年达到规模生产，他们先开发了在200℃沉积a-Si/μc-Si叠

 

层电池结构，并申请了专利。这种a-Si/μc-Si叠层电池的成本（按40MWp/年来计算）, 只及c-Si太阳电池的一半。2002年其生产能

 

力达25MWp/年，出口15MWp，2003年将增至40MWp. 他们生产的a-Si太阳电池组件效率为8%，并保证在20年内效率不会低于原来的80%

 

。2005年生产的效率达12%，系统价格120万日元/3KWp；2006年生产的效率达13%，系统的价格为100万日元/3KWp。

 

　　（2）日本三菱重工。2002年投产a-Si太阳电池，产量达10MWp/年，单结太阳电池效率达8%（初始为10%，3-4月后稳定在8%），

 

寿命可达20-25年。2005年他们利用μc-Si/a-Si 叠层电池结构改进效率达到12%。其组件面积3600cm2，有50-100V的高压，功率输

 

出24-100Wp，100日元/Wp。

 

　　（3）日本三洋公司。75年开始研发a-Si，80年形成规模生产能力，生产用于计算器的a-Si太阳电池。目前他们的a-Si太阳电池

 

组件生产能力为5MWp/年。

 

　　（4）美国的United Solar 公司。该公司是ECD公司和BESS Europc合资经营的。2001年销售3。8MWp不锈钢衬底的a-Si/a-

 

SiGe/a-SiGe三结叠层太阳电池，2002年以前的年产量为5MWp。 2002年6月24日开典的新厂，生产能力为30MWp/a，生产高度自动化

 

，可同时在6卷不锈钢带上生产非晶硅太阳电池，每卷1。5英里。

 

　　2004年全世界薄膜太阳电池（包括a-Si、CdTe、CIS）组件约为63MWp，仅占太阳电池产量的5%，其中美国约占36。5%，日本约

 

占27。7%。a-Si薄膜太阳电池占了整个薄膜太阳电池的74。6%，其中日本占37。2%，美国占29。7%。

 

　　2005年全球薄膜太阳电池增长4成，达88MWp，美再生能源实验室予测2009年，全球薄膜太阳电池的年产量可扩大到280MWp，美

 

国为高达166MWp，其中非晶硅的年产量为55MWp。