英飞凌IGBT模块 FF400R33KF2C

  • 发布时间:2025-03-21 00:00:00,加入时间:2011年06月13日(距今5075天)
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IGBT
 
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域.
 

BSM25GB120DN2 BSM35GB120DN2
BSM50GB120DN2 BSM75GB120DLC
BSM75GB120DN2 BSM100GB120DLC
BSM100GB120DLCK BSM100GB120DN2
BSM100GB120DN2K BSM150GB120DLC
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FZ800R12KF4  FZ1050R12KF4
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