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IA3N10BI-SOT23

  • 发布时间：2019-03-13 11:12:56,加入时间:2016年07月23日(距今3225天)
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沟道MOS,Vdss=100V，Id=2.8A ,VGS=±20V,RDS(ON) < 310mΩ  VGS=10 V ,封装SOT23

*一般描述：

IA3N10BI采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS（ON），低栅极电荷和低至2.5V的栅极电压。 该器件适合用作电池保护或其他开关应用。

*一般特征：

VDS = 100V ID = 2.8A
RDS（ON）<310mΩ VGS = 10 V.

应用领域：
电池保护
负载开关
不间断电源供应

雾化器

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