厂家直供半导体器件图示仪

  • 发布时间:2022-09-27 14:38:25,加入时间:2018年07月16日(距今2534天)
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系统规格及技术指标                                                          

主极电压:     1mV-2000V

电压分辨率:   1mV

主极电流:     0.1nA-50A

扩展电流:     100A

电流分辨率:   0.1nA

测试精度:     0.2%+2LSB

测试速度:     0.5mS/参数

工作温度:     25℃--40℃

工作湿度:     

贮存湿度:     

工作电压:     200v--240v

电源频率:     47HZ--63HZ

通信接口:     RS232 USB

系统功耗:     <150w

设备尺寸:     450mm×570mm×280mm

质    量:     35KG

测试范围

二极管DIODE,晶体管(NPN型/PNP型),J型场效应管J-FET,MOS场效应管  MOS-FET双向可控硅TRIAC,可控硅SCR,绝缘栅双极大功率晶体管IGBT,硅触发可控硅STS

达林顿阵列DARLINTON,光电耦合OPTO-COUPLER,继电器RELAY,稳压、齐纳二极管ZENER三端稳压器REGULATOR,光电开关OPTO-SWITCH,光电逻辑OPTO-LOGIC,金属氧化物压变电阻MOV,固态过压保护器SSOVP,压变电阻VARISTOR,双向触发二极管DIAC

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