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SK海力士在2018年10月宣布推出创新的4D NAND，将3D CTF（Charge Trap Flash）设计与PUC（Peri.Under Cell）技术相结合。在8个月后，SK海力士通过相同的4D平台和流程优化，在96层NAND的基础上堆叠多达32层实现128层堆叠，制造工艺的过程减少了5%，从而使得过渡时期的投资成本降低了60%，同时生产效率也提高了40%。
SK海力士128层4D NAND的最A大优势是小芯片尺寸，使其能够实现1Tb超高密度的NAND Flash。同时，在1.2V时实现了1400Mbps的数据传输速率，可以为终端市场提供高性能和低功耗的移动解决方案和企业级SSD解决方案。SK海力士128层4D NAND技术的UFS和SSD，将在2020年面世
SK海力士计划2020上半年为高端旗舰智能型手机客户开发下一代UFS 3.1产品。相比目前智能型手机采用512Gb实现的1TB大容量存储空间，凭借SK海力士128层1Tb 4D NAND，实现1TB容量所需的NAND芯片数量将减少一半，将为客户提供功耗降低20%的移动解决方案。
