JC/T 2133—2012半导体抛光液用硅溶胶中杂质元素量的测定
电感耦合等离子体原子发射光谱法
标准范围：
本标准规定了采用电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP-AES)法测定半导体抛光液用硅溶胶中杂质元素含量的方法。
本标准适用于半导体化学机械抛光(CMP)中抛光液用的各种硅溶胶。杂质元素包括：铝、钡、钙、 络、铜、铁、钾、镁、锰、钠、镍、钛、锌、锆等14种元素。
规范性引用文件：
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 602化学试剂杂质测定用标准溶液的制备
GB/T 6682分析实验室用水规格和试验方法
标准提要：
试样通过相应的稀释处理或直接进样，在电感耦合等离子体炬焰中激发，发射出所含元素的分析线, 根据待测元素分析线的强度测定相应元素的含量。
分析步骤：
1. 试样处理。
2. 校准曲线。
3. 测定。
不确定度评定：
不确定度评定依照CNAS-GL06《化学分析中不确定度的评估指南》中提供的方法进行(具体评定方法参见附录B)。被测元素含量范围在0.01 μg/mLmu;g/mL之间，测量不确定度应小于该元素测量值的10%;被测元素含量范围在1μg/mLmu;g/mL之间，测量不确定度应小于该元素测量值的5%。
