上海伯东 KRI 考夫曼离子源 KDC 10

  • 发布时间:2023-06-12 10:19:37,加入时间:2014年09月28日(距今3543天)
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上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼离子源 KDC 10: 考夫曼型离子源 Gridded 系列最小型号的离子源. 适用于集成在小型的真空设备中, 例如预清洗, 离子溅射, 离子蚀刻. 在 <1000eV 低能量, 通 Ar 氩气时离子蚀刻的能力显著提高.KDC 10 离子源低损伤, 宽束设计, 低成本等优点广泛应用在显微镜领域, 标准配置下 KDC 10 离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 10mA.

KRI 考夫曼离子源 KDC 10 技术参数:

型号

KDC 10

供电

DC magnetic confinement

- 阴极灯丝

1

- 阳极电压

0-100V DC

- 栅极直径

1cm

中和器

灯丝

电源控制

KSC 1202

配置

-

- 阴极中和器

Filament, Sidewinder Filament  或LFN 1000

- 架构

移动或快速法兰

- 高度

4.5'

- 直径

1.52'

- 离子束

集中

平行

散设

-加工材料

金属

电介质

半导体

-工艺气体

惰性

活性

混合

-安装距离

2-12”

- 自动控制

控制4种气体

KRI 考夫曼离子源 KDC 10 应用领域:

离子清洗, 显微镜抛光 IBP

溅镀和蒸发镀膜 PC

辅助镀膜(光学镀膜) IBAD

表面改性, 激活 SM

离子溅射沉积和多层结构 IBSD

离子蚀刻 IBE

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专 利. KRi 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.

若您需要进一步的了解产品详细信息或讨论, 请联络上海伯东邓女士, 分机134

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