因产品配置不同，价格货期需要电议，图片仅供参考，一切以实际成交合同为准。
上海伯东代理美国原装进口 KRI 霍尔离子源 eH200 是霍尔离子源型 eH 系列中尺寸最小, 低成本设计离子源. 霍尔离子源 eH200 适用于小型真空腔内, 例如研发分析, 薄膜沉积和离子清洗. 霍尔离子源 eH200 操作简单是理想的生产工具.
KRI 霍尔离子源 eH 200 技术参数：
|
型号 |
eH 200 |
|
供电 |
DC magnetic confinement |
|
- 电压 |
40-300V VDC |
|
- 离子源直径 |
~ 2 cm |
|
- 阳极结构 |
模块化 |
|
电源控制 |
eHx-3005A |
|
配置 |
- |
|
- 阴极中和器 |
Filament or Hollow Cathode |
|
- 离子束发散角度 |
> 45° (hwhm) |
|
- 阳极 |
标准或 Grooved |
|
- 水冷 |
无 |
|
- 底座 |
移动或快接法兰 |
|
- 高度 |
2.0' |
|
- 直径 |
2.5' |
|
-加工材料 |
金属 |
|
电介质 |
|
|
半导体 |
|
|
-工艺气体 |
Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors |
|
- 安装距离 |
6-24” |
|
- 自动控制 |
控制4种气体 |
|
* 可选: 可调角度的支架; Filamentless; Sidewinder |
|
KRI 霍尔离子源 eH 200 应用领域：
溅镀和蒸发镀膜 PC
辅助镀膜(光学镀膜)IBAD
表面改性, 激活 SM
直接沉积 DD
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. KRi 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.
若您需要进一步的了解产品详细信息或讨论, 请联络上海伯东邓女士, 分机134
